参数 | 频率 | / | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
通带频率一 | / | / | 100 | ~ | 330 | MHz |
通带频率二 | / | / | 370 | ~ | 800 | MHz |
通带一损耗 | / | / | 2.0 | dB | ||
通带二损耗 | / | / | 2.0 | dB | ||
交叉损耗 | 330-350 | MHz | 5.0 | dB | ||
交叉损耗 | 350-370 | MHz | 5.0 | dB | ||
通带波动 | 100-330 | MHz | 1.0 | dB | ||
通带波动 | 100-350 | MHz | 4.2 | dB | ||
通带波动 | 370-800 | MHz | 1.0 | dB | ||
通带波动 | 350-800 | MHz | 4.2 | dB | ||
通带驻波 | / | / | 1.8 | |||
通带一抑制度 | 10-50 | MHz≥ | 48 | dBc | ||
通带一抑制度 | 500-2200 | MHz≥ | 55 | dBc | ||
通带二抑制度 | 10-250 | MHz≥ | 48 | dBc | ||
通带二抑制度 | 960-1100 | MHz≥ | 55 | dBc | ||
通带二抑制度 | 1100-2200 | MHz≥ | 45 | dBc |
接口形式 | 0.5mm |
阻抗 | 50Ω |
表面 | 镀银 |
功率容量 | 2W设计保证 |
产品外壳材料 | 铜H62 |
工作温度 | -55~+85℃设计保证 |
储存温度 | -55~+85℃设计保证 |
温度冲击 | -55℃~+85℃@保温 30 分钟,10 个循环 |
振动 | GJB 360B-2009 方法 214,条件 I-E, X、Y、Z 方向,时间:各 5min |
其它 | 选用元器件必须 100%进行二次筛选,主要包括半导体集成电路、半导 体分立器件、电阻器、电阻网络、电感器、电容器、电位器、继电器、晶 振等,塑封元器件、重要、不能进行二次筛选的元器件需进行 DPA 试验, 未经筛选的元器件一律不得装机使用,二次筛选报告和 DPA 试验报告存档 备查。 对于进口的有质量证明文件的美国军用 QPL 元器件可不进行二次筛 选,GCT41L、GCT4L、GCC41L、GCC4L 等“七专”系列电容,RMK、RJ23\24\25 系列电阻可按单批数量的 20%抽样进行二次筛选。 筛选工作和 DPA 试验单位应为航空集团和西科公司共同认可的检验单 位,具体筛选要求和 DPA 要求按双方协商进行 |
1 | 公共端 | --- |
2 | 通带一 | --- |
3 | 通带二 | --- |
4 | 接地端 | --- |
1 | 清洗产品表面,请勿将产品浸泡清洗液中清洗。 |
1 | 整体温度大于125℃的情况,订货前与我们协商。 |
--- | 安装面平整,避免安装螺丝钉把产品拉变形。请戴手套安装产品,防止表面氧化。产品用回流焊等整体高温焊接时,整体温度大于125℃的情况下,请在订货前与我们协商。清洗产品表面,请勿将产品浸泡清洗液中清洗。 |