工作带宽 23.8-27.2GHz,带外抑制 40@DC-20.8GHz,40@30.2-40.0GHz
产品不可用于违法用途,违法使用造成的损失由客户承担。
高精度胶片处理技术
高性能,低温漂,大功率
陶瓷基板,50Ω共面波导
金丝键合,适用于多芯片集成模块
| 项目 | 参数 | 单位 |
| 中心频率 | 26.0 | GHz |
| 工作带宽 | 23.8-27.2 | GHz |
| 中心损耗 | 2.3 | dB |
| 带内波动 | 1.0 | dB |
| 驻波比 | 1.7:1 | |
| 群时延波动 | 0.4 | ns |
| 带外抑制 | 40@DC-20.8GHz | dBc |
| 带外抑制 | 40@30.2-40.0GHz | dBc |
| 承受功率 | 2W CW |
| 工作温度 | -55~+85℃ |
| 储存温度 | -55~+125℃ |
| 外形尺寸 | L:7.5,W:2.5,h:0.26 |


1:芯片建议分腔使用,单侧距侧壁0.1mm,表面距上盖1.75mm,端口可互换;
2:芯片推荐使用低应力导电胶(如 ME8456)粘接;
3:芯片应安装在可伐(推荐)或钼铜等与陶瓷热膨胀系数 (6.7ppm / ℃) ,载体厚度 ≥ 0.2mm;
4:微带线与芯片键合连接时,建议微带键合处采用T型结构进行匹配;


