通带频率 14200~40000MHz,11700MHz≥20dBc,微带焊盘,MMIC
产品不可用于违法用途,违法使用造成的损失由客户承担。
成熟 GaAs(砷化镓)加工工艺,
50Ω共面波导输出,金丝键合。
| 参数 | 频率 | / | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 通带频率 | / | / | 14200 | ~ | 40000 | MHz |
| 中心损耗 | / | / | 2.2 | dB | ||
| 带外抑制 | 11700 | MHz≥ | 20 | dBc | ||
| 通带驻波 | / | / | 1.7 |
| 接口形式 | 微带焊盘 |
| 阻抗 | 50Ω |
| 功率容量 | 25dBm设计保证 |
| 工作温度 | -55~+125℃设计保证 |
| 存储温度 | -65~+150℃设计保证 |
| 质量等级 | 工业级 |
| ROHS | 满足 |
| 滤波器类别 | MMIC |




| 尺寸代码 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) |
| L | 0.95 | 1.0 | 1.05 |
| W | 0.95 | 1.0 | 1.05 |
| H1 | 0.5 | ||
| H2 | 0.5 |

1.储存:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存。
2.静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
3.常规操作:操作过程中避免工具或手指接触芯片表面。
4.装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结工艺或导电胶粘接工艺。安装面必须清洁平整。
5.烧结工艺:使用金锡比例80/20的AuSn焊料。温度不超过295度,摩擦时间不要超过3秒。
6.粘接工艺:导电胶的电胶量尽量少,将芯片放置于安装位置后在其四周可见导电胶即可。
7.键合操作:球型或锲型键合均采用 0.025mm 金丝, 按照通用工艺进行。